В ходе пресс-конференции флагманской серии Xiaomi Mi 10 исполнительный директор компании анонсировал появление первого зарядного устройства для смартфонов с использованием нитрида галлия. Показатель максимальной мощности достигает 65 Вт. Технология GANFast обеспечивает мощность на 100% выше, нежели в зарядках с кремниевыми чипами. GaN-зарядное устройство оборудовано силовыми интегральными микросхемами Nan6icro Semiconductor NV6115 и NV6117. Они оптимизированы под высокую частоту и мягкое переключение.
Монолитная интеграция полевых транзисторов, драйверов позволила сохранить компактные размеры модуля, значительно увеличив мощность его работы. Габариты зарядного устройства Xiaomi – 56,3х30,8х30,8 мм. Оно практически на 50% меньше, чем стандартная зарядка. Китайский вендор активно инвестировал в компанию Nanomicro Semiconductor. Сейчас мы видим первые плоды этих вложений. Основа для последующего сотрудничества успешно заложена.
Инвестиционная стратегия Xiaomi предусматривает становление отлаженной взаимосвязи между производителем смартфонов и поставщиком комплектующих. Эффективное сотрудничество позволяет расширить каналы продаж всем участникам сделки. Компания Nanomicro Semiconductor – первый и единственный производитель GaN-микросхем. Предприятие учреждено в 2014 году. Главный офис находится в Калифорнии, США. Этой организации принадлежат и другие интересные патенты, которые в скором времени могут трансформироваться в полноценные продукты.
